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碳化硅晶圓老化系統(tǒng)

碳化硅晶圓老化系統(tǒng)

產(chǎn)品特點(diǎn)
晶圓老化系統(tǒng)共配置6個(gè)老化單元,支持SiC, GaN晶圓產(chǎn)品的老化。
每個(gè)老化單元支持6寸/8寸晶圓 最大768個(gè)芯片的HTGB & HTRB 老
化測(cè)試。
HTGB和HTRB集成在一個(gè)抽屜，可以在線切換GB和RB老化模式。
支持IDSS、IGSS、Vth 、Vf參數(shù)測(cè)試。
每個(gè)老化單元可獨(dú)立運(yùn)行不同的Recipe，使用效率高。
高精度漏電流測(cè)試，最高精度漏電流分辨率可以到0.1nA。
老化單元控溫精度＜1℃，溫度均勻性＜±1℃。
支持氮?dú)獗Ｗo(hù)，防止高壓打火和PAD氧化。
硬件 軟件雙重限流保護(hù)。
系統(tǒng)提供氮?dú)饨涌?，可在老化單元Loading完成后自動(dòng)充氣
保護(hù)。
單元內(nèi)部關(guān)鍵零部件采用高耐溫和高絕緣材料，可靠性高。
可從MES系統(tǒng)載入MAP數(shù)據(jù)進(jìn)行綁定，也可根據(jù)老化數(shù)據(jù)輸
出MAP結(jié)果到MES，便于數(shù)據(jù)追溯。
支持在線Recipe編輯，以及系統(tǒng)不

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